- Número da peça
- TP65H070LDG-TR
- Fabricante
- Transphorm
- Categorias
- RF JFET Transistors
- RoHS
- Ficha de dados
- Descrição
- RF JFET Transistors 227-TP65H070LSG-TR
TP65H070LDG-TR
As imagens são apenas para referência
Especificações
- Fabricante
- Transphorm
- Categorias
- RF JFET Transistors
- Id - Continuous Drain Current
- 25 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Package / Case
- PQFN-8
- Packaging
- Reel
- Pd - Power Dissipation
- 96 W
- Technology
- GaN
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Transistor Type
- HEMT
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 650 V
- Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- - 20 V, + 20 V
Categoria Porduct
Circuit Protection
162,445 Produtos
Connectors
2,428,639 Produtos
Electromechanical
556,105 Produtos
Embedded Solutions
41,129 Produtos
Enclosures
20,894 Produtos
Engineering Development Tools
42,996 Produtos
Industrial Automation
558,346 Produtos
LED Lighting
77,795 Produtos
Optoelectronics
109,177 Produtos
Passive Components
2,996,719 Produtos
Power
323,117 Produtos
Semiconductors
567,247 Produtos
Sensors
70,154 Produtos
Test & Measurement
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