- Número da peça
- TP65H050G4WS
- Fabricante
- Transphorm
- Categorias
- MOSFET
- RoHS
- Ficha de dados
- Descrição
- MOSFET GAN FET 650V 34A TO247
TP65H050G4WS
As imagens são apenas para referência
Especificações
- Fabricante
- Transphorm
- Categorias
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 34 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TO-247-3
- Packaging
- Bulk
- Pd - Power Dissipation
- 119 W
- Qg - Gate Charge
- 24 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 60 mOhms
- Technology
- SI
- Transistor Polarity
- P-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 650 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 4.8 V
Categoria Porduct
Circuit Protection
162,445 Produtos
Connectors
2,428,639 Produtos
Electromechanical
556,105 Produtos
Embedded Solutions
41,129 Produtos
Enclosures
20,894 Produtos
Engineering Development Tools
42,996 Produtos
Industrial Automation
558,346 Produtos
LED Lighting
77,795 Produtos
Optoelectronics
109,177 Produtos
Passive Components
2,996,719 Produtos
Power
323,117 Produtos
Semiconductors
567,247 Produtos
Sensors
70,154 Produtos
Test & Measurement
23,394 Produtos
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