R6011KND3TL1

As imagens são apenas para referência
Número da peça
R6011KND3TL1
Fabricante
ROHM Semiconductor
Categorias
MOSFET
RoHS
Ficha de dados
Descrição
MOSFET 600V N-CH 11A POWER MOSFET

Especificações

Fabricante
ROHM Semiconductor
Categorias
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
11 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-252-3
Packaging
Cut Tape, MouseReel, Reel
Pd - Power Dissipation
124 W
Qg - Gate Charge
22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
390 mOhms
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3 V

últimas revisoes

My package arrived wet, not know where occurs this fact, but working all right

fast delivery, item as described, thanks!!

Takes 8 days to Japan. Good!

Perfectly.

Everything is excellent! recommend this seller!

As pessoas que visualizam R6011KND3TL1 compraram

Palavras-chave relacionadas para R601

  • R6011KND3TL1 Integrado
  • R6011KND3TL1 RoHS
  • R6011KND3TL1 Folha de dados em PDF
  • R6011KND3TL1 Ficha de dados
  • R6011KND3TL1 Parte
  • R6011KND3TL1 Comprar
  • R6011KND3TL1 Distribuidor
  • R6011KND3TL1 PDF
  • R6011KND3TL1 Componente
  • R6011KND3TL1 ICs
  • R6011KND3TL1 baixar PDF
  • R6011KND3TL1 Download da folha de dados
  • R6011KND3TL1 Fornecem
  • R6011KND3TL1 Fornecedor
  • R6011KND3TL1 Preço
  • R6011KND3TL1 Ficha de dados
  • R6011KND3TL1 Imagem
  • R6011KND3TL1 Cenário
  • R6011KND3TL1 Inventário
  • R6011KND3TL1 estoque
  • R6011KND3TL1 Original
  • R6011KND3TL1 Mais barato
  • R6011KND3TL1 Excelente
  • R6011KND3TL1 Sem chumbo
  • R6011KND3TL1 Especificação
  • R6011KND3TL1 Ofertas quentes
  • R6011KND3TL1 Preço de quebra
  • R6011KND3TL1 Dados técnicos