- Número da peça
- SI1012R-T1-GE3
- Fabricante
- Vishay Semiconductors
- Categorias
- MOSFET
- RoHS
- Ficha de dados
- Descrição
- MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
SI1012R-T1-GE3
As imagens são apenas para referência
Especificações
- Fabricante
- Vishay Semiconductors
- Categorias
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 600 mA
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- SC-75A-3
- Packaging
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 175 mW
- Qg - Gate Charge
- 750 pC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 700 mOhms
- Technology
- SI
- Tradename
- TrenchFET
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 20 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 8 V, + 8 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 450 mV
Categoria Porduct
Circuit Protection
162,445 Produtos
Connectors
2,428,639 Produtos
Electromechanical
556,105 Produtos
Embedded Solutions
41,129 Produtos
Enclosures
20,894 Produtos
Engineering Development Tools
42,996 Produtos
Industrial Automation
558,346 Produtos
LED Lighting
77,795 Produtos
Optoelectronics
109,177 Produtos
Passive Components
2,996,719 Produtos
Power
323,117 Produtos
Semiconductors
567,247 Produtos
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70,154 Produtos
Test & Measurement
23,394 Produtos
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