R6025JNZ4C13

As imagens são apenas para referência
Número da peça
R6025JNZ4C13
Fabricante
ROHM Semiconductor
Categorias
MOSFET
RoHS
Ficha de dados
Descrição
MOSFET 600V N-CH 25A POWER

Especificações

Fabricante
ROHM Semiconductor
Categorias
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Id - Continuous Drain Current
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
306 W
Qg - Gate Charge
57 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
182 mOhms
Technology
SI
Tradename
PrestoMOS
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
5 V

últimas revisoes

Quickly came to CET, all in one package. Look at the rules

Decent quality, not минвелл certainly, but enough decent

Shipping a little 1 weeks, normal packing, the procedure is complete.

the photo in comparison with cheap. Delivery fast

Seems well have not tested

Você pode gostar

As pessoas que visualizam R6025JNZ4C13 compraram

Palavras-chave relacionadas para R602

  • R6025JNZ4C13 Integrado
  • R6025JNZ4C13 RoHS
  • R6025JNZ4C13 Folha de dados em PDF
  • R6025JNZ4C13 Ficha de dados
  • R6025JNZ4C13 Parte
  • R6025JNZ4C13 Comprar
  • R6025JNZ4C13 Distribuidor
  • R6025JNZ4C13 PDF
  • R6025JNZ4C13 Componente
  • R6025JNZ4C13 ICs
  • R6025JNZ4C13 baixar PDF
  • R6025JNZ4C13 Download da folha de dados
  • R6025JNZ4C13 Fornecem
  • R6025JNZ4C13 Fornecedor
  • R6025JNZ4C13 Preço
  • R6025JNZ4C13 Ficha de dados
  • R6025JNZ4C13 Imagem
  • R6025JNZ4C13 Cenário
  • R6025JNZ4C13 Inventário
  • R6025JNZ4C13 estoque
  • R6025JNZ4C13 Original
  • R6025JNZ4C13 Mais barato
  • R6025JNZ4C13 Excelente
  • R6025JNZ4C13 Sem chumbo
  • R6025JNZ4C13 Especificação
  • R6025JNZ4C13 Ofertas quentes
  • R6025JNZ4C13 Preço de quebra
  • R6025JNZ4C13 Dados técnicos