- Número da peça
- R6009JND3TL1
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Categorias
- MOSFET
- RoHS
- Ficha de dados
- Descrição
- MOSFET 600V N-CH 9A POWER
R6009JND3TL1
As imagens são apenas para referência
Especificações
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Categorias
- MOSFET
- Channel Mode
- Enhancement
- Id - Continuous Drain Current
- 9 A
- Maximum Operating Temperature
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Mounting Style
- SMD/SMT
- Number of Channels
- 1 Channel
- Package / Case
- TO-252-3
- Packaging
- Cut Tape, Reel
- Pd - Power Dissipation
- 125 W
- Qg - Gate Charge
- 22 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance
- 585 mOhms
- Technology
- SI
- Tradename
- PrestoMOS
- Transistor Polarity
- N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 600 V
- Vgs - Gate-Source Voltage
- - 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 5 V
Categoria Porduct
Circuit Protection
162,445 Produtos
Connectors
2,428,639 Produtos
Electromechanical
556,105 Produtos
Embedded Solutions
41,129 Produtos
Enclosures
20,894 Produtos
Engineering Development Tools
42,996 Produtos
Industrial Automation
558,346 Produtos
LED Lighting
77,795 Produtos
Optoelectronics
109,177 Produtos
Passive Components
2,996,719 Produtos
Power
323,117 Produtos
Semiconductors
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70,154 Produtos
Test & Measurement
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